Пропускна здатність інноваційної пам'яті HMC зросте в півтора рази

Пропускна здатність інноваційної пам'яті HMC зросте в півтора рази

Організація Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC) випустила чорнову версію специфікації HMC Gen2 для інноваційної пам'яті Hybrid Memory Cube (HMC).


Нагадаємо, що архітектура HMC заснована на методиці TSV (through-silicon vias), що передбачає формування багатошарових чіпів з мідними каналами в їх структурі, що виконують функції провідників. У HMC-модулях TSV-з'єднання проходять крізь чіпи DRAM від логіки, розташованої знизу і надають високий рівень паралельних зв'язків. Стверджується, що в порівнянні з DDR3 пам'ять HMC забезпечує 15-кратне збільшення продуктивності при зменшеному на 70% енергоспоживанні та економії простору на 90%.

Перша версія специфікації HMC була опублікована в квітні 2013 року. Відповідно до неї HMC використовує канали з 16 або 8 повнодуплексних диференційних послідовних ліній, кожна з яких працює зі швидкістю в 10, 12,5 або 15 Гбіт/с. Таким чином, канал з 16 ліній, що працюють на 10 Гбіт/с, має пропускну здатність в 40 Гбайт/с (20 Гбайт/с на прийом і 20 Гбайт/с на передачу).

Специфікація HMC Gen2 передбачає збільшення швидкості передачі даних. Кожна лінія зможе забезпечувати пропускну здатність до 30 Гбіт/с. Публікація фінальної версії специфікації намічена на середину нинішнього року.

Зазначимо, що зразки пам'яті Hybrid Memory Cube у вигляді виробів ємністю 2 Гбайт вже пропонує компанія Micron Technology. Вони складаються з чотирьох покладених один на одного 4-гігабітних модулів, а пропускна здатність досягає 160 Гбайт/с.

У консорціум HMCC, крім Micron, входять такі компанії, як Altera, ARM, IBM, Open-Silicon, Samsung, SK hynix і Xilinx.