З 2 по 6 грудня пройде чергова конференція International Electron Devices Meeting (IEDM 2017). Традиційно лідери галузі з розробки та виробництва напівпровідників розкажуть про досягнення і проллють світло на важливі аспекти майбутніх техпроцесів. Порядок основних виступів вже опубліковано, і ми можемо зрозуміти, про що піде розмова.
Так, компанія Intel присвятить основний час доповіді про фірмовий техпроцесі з нормами 10 нм. Вже відомо, що розміри FinFET-транзисторів у техпроцесі Intel будуть такими: ширина ребер (транзисторних каналів) дорівнює 7 нм, відстань між центрами ребер складе 34 нм (pitch), а висота ребер дорівнюватиме 46 нм (за іншими даними - 53 нм). Для створення на кристалі елементів подібного розміру компанія використовує чотириразову проекцію з самовирівнюванням фотошаблонів. Також Intel розповість про технології виробництва високоплотних і енергоефективних осередків SRAM площею 0,0312 мкм2 і 0,0441 мкм2 (на прикладі досвідченого 204-Мбіт масиву SRAM).
За словами Intel, 10-нм техпроцес допускає створення 12 металізованих міжконтактних шарів з підтримкою цілого спектру порогових напружень. Порівняно з 14-нм техпроцесом компанії техпроцес з нормами 10 нм дозволить збільшити канальні струми для n-каналів транзисторів на 71%, а для p-каналів - на 35%. Крім цього в двох нижніх шарах металізації Intel буде використовувати струмопровідні доріжки з кобальту. Це десятиразово поліпшить стан справ з електроміграцією і в два рази зменшить опір міжшарової металізації. Інакше кажучи, кобальт забезпечить стабільність характеристик чіпів і знизить струмове навантаження на міжшарові сполуки.
Компанія GlobalFoundries поділиться досягненнями у створенні осередку SRAM площею 0,0269 мкм2, що стало можливо завдяки 7-нм техпроцесу з використанням транзисторів FinFET. Порівняно з 14-нм техпроцесом техпроцес GlobalFoundries з нормами 7 нм обіцяє 2,8-кратне збільшення щільності розміщення елементів на кристалі і або більш ніж 40-відсоткове зростання продуктивності, або 55-відсоткове зниження споживання. Як і компанія Intel, GlobalFoundries використовуватиме чотири проекції для виготовлення кристалів і дві проекції для виготовлення міжшарових сполук. Даний техпроцес GlobalFoundries розробляла самостійно, хоча 14-нм техпроцес ліцензувала у Samsung.
Крім зазначених компаній на конференції IEDM з цікавими доповідями виступлять представники Imec (Мова йде про нові типи каналів транзисторів - повністю оточених затворами, що складаються з нанопроводів і наносторонь), компанія Macronix розповість про фірмову пам'ять 3D NAND, компанія SK Hynix обрадує доповіддю про пам'ять ReRAM, компанія IBM і організація CEA-Leti роздільно розкажуть про 3D-компонування монолітної логіки, дослідники зі Швеції покажуть, як можна витягувати біоматеріал з поту на прикладі чіпів на пластинах FD-SOI, команда з Houston Methodist Research Institute покаже як контролювати рівень ліків в організмі і витягувати гени за допомогою чіпів з мікроканалами, а дослідники з Техаського Університету в Остіні поділяться досягненнями у виробництві гнучкої електроніки з графена на звичайному папері. Чекаємо подробиць.